A fronteira final para a tecnologia de fabricação DRAM não EUV
A Micron anunciou na terça-feira sua tecnologia de fabricação 1β (1-beta) de próxima geração para DRAM (Memória de acesso aleatório dinâmico). O novo nó permitirá que a Micron reduza os custos de sua DRAM, além de aumentar sua eficiência de energia e desempenho. 1β (1-beta) será o último processo de produção de DRAM da empresa que contará com litografia ultravioleta profunda (DUV) e não usará ferramentas de ultravioleta extremo (EUV).
O processo de fabricação 1β da Micron usa o portão de metal high-K de 2ª geração da empresa (HKMG) e diz-se que aumenta a densidade de bits de uma matriz de memória de 16Gb em 35%, além de melhorar a eficiência de energia em 15% quando comparado a um dispositivo DRAM semelhante fabricado no nó 1α da empresa.
A nova tecnologia de fabricação será particularmente útil para os chips DDR5 e LPDDR 5X de alta capacidade para aplicativos móveis, de servidor e de desktop.
Ao contrário de seus rivais Samsung e SK Hynix, a Micron atualmente não usa ferramentas EUV e, portanto, precisa contar com várias técnicas de padrões múltiplos para continuar tornando as células DRAM menores.
“Nós impulsionamos a inovação de todos os campos, incluindo técnicas de multiplicação de padrões de ponta”, disse Thy Tran, vice-presidente de integração de processos DRAM da Micron. “1β também vem com novos processos, materiais e equipamentos avançados para aprimorar nossa integração de células de memória para que possamos reduzir o array de células de memória. […] Para maximizar todos os benefícios tecnológicos e nossas inovações de design, também estamos escalando agressivamente tanto altura da célula de memória em termos de tamanho, e também o resto dos circuitos na matriz para economizar espaço e trazer a você a menor matriz possível para uma determinada densidade, otimizando melhorias de potência e desempenho.”
O primeiro produto que a Micron fará usando seu nó de ponta será a memória LPDDR 5X-8500 de 16Gb, mas eventualmente a empresa começará a usar o nó para outros produtos. Diz-se que o chip LPDDR 5X de 16Gb oferece técnicas de controle de tensão de núcleo de extensão de escala de frequência e tensão dinâmica aprimoradas (eDVFSC) para economia de energia.
A memória LPDD R5X foi projetada não apenas para aplicativos móveis como tablets e smartphones, mas também para melhorar o desempenho de vários aplicativos que consomem muita largura de banda, como system-on-chips de classe PC, bem como aceleradores de inteligência artificial (AI).
A memória LPDDR 5X-8500 de 16Gb da Micron, bem como seu processo de fabricação 1β, estão prontos para produção em massa, de acordo com a Micron. Atualmente, a empresa está enviando amostras de seus DRAMs LPDDR5X-8500 para as partes interessadas e iniciará a produção em massa desses CIs assim que passarem nos procedimentos de qualificação.
Fonte: tom’s HARDWARE – Anton Shilov
(Crédito da imagem: Micro)
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